EPC2100
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| Numero di parte | EPC2100 |
|---|---|
| fabbricante | EPC |
| Descrizione | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.918 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | EPC2100 | fabbricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 16470 pcs | Scheda dati | EPC2100~EPC2100 Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V | Potenza - Max | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | 917-1180-2 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
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