CYDM064B16-55BVXI
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| Numero di parte | CYDM064B16-55BVXI |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CYDM064B16-55BVXI | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5139 pcs | Scheda dati | CYDM(064,128,256)B16 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 55ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V | Tecnologia | SRAM - Dual Port, MoBL |
| Contenitore dispositivo fornitore | 100-VFBGA (6x6) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 100-VFBGA |
| Altri nomi | CYDM064B1655BVXI | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 64Kb (4K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 55ns 100-VFBGA (6x6) |
| Numero di parte base | CYDM | Tempo di accesso | 55ns |
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