CYDM128B08-40BVXI
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| Numero di parte | CYDM128B08-40BVXI |
|---|---|
| fabbricante | Cypress Semiconductor |
| Descrizione | IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CYDM128B08-40BVXI | fabbricante | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5529 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 40ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SRAM - Dual Port, MoBL |
| Contenitore dispositivo fornitore | 100-VFBGA (6x6) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 100-VFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | SRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6) | Numero di parte base | CYDM |
| Tempo di accesso | 40ns |
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