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CYDD18S36V18-167BBXC

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Numero di parte CYDD18S36V18-167BBXC
fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5886 pcs
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Numero di parte CYDD18S36V18-167BBXC fabbricante Cypress Semiconductor
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5886 pcs Scheda dati FullFlex DDR Dual-Port SRAM
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 256-FBGA (17x17) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 256-LBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 18Mb (256K x 36 x 2) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 36 x 2) Parallel 167MHz 600ps 256-FBGA (17x17) Frequenza dell'orologio 167MHz
Numero di parte base CYDD Tempo di accesso 600ps

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