NE3516S02-T1C-A
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| Numero di parte | NE3516S02-T1C-A |
|---|---|
| fabbricante | CEL (California Eastern Laboratories) |
| Descrizione | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NE3516S02-T1C-A | fabbricante | CEL (California Eastern Laboratories) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4533 pcs | Scheda dati | NE3516S02 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2V |
| Tensione - nominale | 4V | Tipo transistor | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Contenitore dispositivo fornitore | S02 | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 165mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 4-SMD, Flat Leads | Figura di rumore | 0.35dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno | 14dB | Frequenza | 12GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 | Valutazione attuale | 60mA |
| Corrente - Test | 10mA |
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