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NE3512S02-T1C-A

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Numero di parte NE3512S02-T1C-A
fabbricante CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione HJ-FET NCH 13.5DB S02
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6004 pcs
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Numero di parte NE3512S02-T1C-A fabbricante CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione HJ-FET NCH 13.5DB S02 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6004 pcs Scheda dati NE3512S02RF Wireless Brochure
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - Prova 2V
Tensione - nominale 4V Tipo transistor HFET
Contenitore dispositivo fornitore S02 Serie -
Alimentazione - uscita - imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 4-SMD, Flat Leads Altri nomi NE3512S02-T1C-ACT
Figura di rumore 0.35dB Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Guadagno 13.5dB
Frequenza 12GHz Descrizione dettagliata RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
Valutazione attuale 70mA Corrente - Test 10mA
Numero di parte base NE3512

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