NE3515S02-T1D-A
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| Numero di parte | NE3515S02-T1D-A |
|---|---|
| fabbricante | CEL (California Eastern Laboratories) |
| Descrizione | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NE3515S02-T1D-A | fabbricante | CEL (California Eastern Laboratories) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5759 pcs | Scheda dati | NE3515S02 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2V |
| Tensione - nominale | 4V | Tipo transistor | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore | S02 | Serie | - |
| Alimentazione - uscita | 14dBm | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 4-SMD, Flat Leads | Figura di rumore | 0.3dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno | 12.5dB | Frequenza | 12GHz |
| Descrizione dettagliata | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02 | Valutazione attuale | 88mA |
| Corrente - Test | 10mA |
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