AON5810
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| Numero di parte | AON5810 |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | AON5810 | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4102 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V | Potenza - Max | 1.6W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A |
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