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AON6200L

AON6200L
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Numero di parte AON6200L
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5883 pcs
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Numero di parte AON6200L fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5883 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 7.8 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.95W (Ta), 35W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerSMD, Flat Leads
Altri nomi 785-1397-2
AON6200		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 13A (Ta), 24A (Tc) 1.95W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 24A (Tc)

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