AON5802A
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| Numero di parte | AON5802A |
|---|---|
| fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AON5802A | fabbricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5359 pcs | Scheda dati | DFN2x5-6L Pkg DrawingAON5802A |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V | Potenza - Max | 1.7W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Altri nomi | 785-1134-1 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1115pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
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