NVD3055L170T4G-VF01
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| Numero di parte | NVD3055L170T4G-VF01 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.10 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NVD3055L170T4G-VF01 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 209897 pcs | Scheda dati | NTD3055L170 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 170 mOhm @ 4.5A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G-ND NVD3055L170T4G-VF01TR NVD3055L170T4GOSTR-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
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