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NSBC123JDP6T5G

NSBC123JDP6T5G
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Numero di parte NSBC123JDP6T5G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1015499 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NSBC123JDP6T5G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1015499 pcs Scheda dati MUN5235DW1, NSBC123JDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-963 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 339mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-963 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base NSBC1*

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