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NSBC115EDXV6T1G

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Numero di parte NSBC115EDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 770290 pcs
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Numero di parte NSBC115EDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 770290 pcs Scheda dati MUN5236DW1, NSBC115EDXV6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potenza - Max 500mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi NSBC115EDXV6T1G-ND
NSBC115EDXV6T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base NSBC1*

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