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NSBC115EPDXV6T1G

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Numero di parte NSBC115EPDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione SS SOT563 RSTR XSTR TR
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 932891 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NSBC115EPDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione SS SOT563 RSTR XSTR TR Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 932891 pcs Scheda dati MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potenza - Max 357mW Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 52 Weeks Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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