NDDL01N60Z-1G
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| Numero di parte | NDDL01N60Z-1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NDDL01N60Z-1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4799 pcs | Scheda dati | NDDL01N60Z, NDTL01N60Z |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 15 Ohm @ 400mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 26W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 800mA (Ta) 26W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
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