NDD60N550U1-35G
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| Numero di parte | NDD60N550U1-35G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NDD60N550U1-35G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4885 pcs | Scheda dati | NDD60N550U1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 550 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Tc) |
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- Parte#:
HDWM-12-53-S-S-250-SM-P - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
.050" BOARD SPACERS - Disponibile:
30103