NDD60N900U1-35G
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| Numero di parte | NDD60N900U1-35G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NDD60N900U1-35G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5808 pcs | Scheda dati | NDD60N900U1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I-PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
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