IRFNL210BTA-FP001
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| Numero di parte | IRFNL210BTA-FP001 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFNL210BTA-FP001 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4153 pcs | Scheda dati | IRFNL210B |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92L | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Box (TB) | Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Altri nomi | IRFNL210BTA_FP001 IRFNL210BTA_FP001-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
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