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IRFM220BTF_FP001

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Numero di parte IRFM220BTF_FP001
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5112 pcs
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Numero di parte IRFM220BTF_FP001 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5112 pcs Scheda dati IRFM220BMA04A Pkg Drawing
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 800 mOhm @ 570mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 1.13A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.13A (Tc)

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