IRFM210BTF_FP001
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| Numero di parte | IRFM210BTF_FP001 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFM210BTF_FP001 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5111 pcs | Scheda dati | IRFM210BMA04A Pkg Drawing |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223-4 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 390mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 770mA (Tc) |
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