HUF76639S3ST-F085
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| Numero di parte | HUF76639S3ST-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.106 | $0.999 | $0.803 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF76639S3ST-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 43536 pcs | Scheda dati | HUF76639S3ST_F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) | Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 26 mOhm @ 51A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | HUF76639S3ST-F085DKR HUF76639S3ST_F085DKR HUF76639S3ST_F085DKR-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
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