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HUF76629D3ST-F085

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Numero di parte HUF76629D3ST-F085
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 102800 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
$0.206

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Numero di parte HUF76629D3ST-F085 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 20A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 102800 pcs Scheda dati HUF76629D3ST_F085
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085-ND
HUF76629D3ST_F085TR
HUF76629D3ST_F085TR-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

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