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HUF76639S3ST

HUF76639S3ST
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Numero di parte HUF76639S3ST
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 81247 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte HUF76639S3ST fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 81247 pcs Scheda dati HUF76639S3S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Serie UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 26 mOhm @ 51A, 10V Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi HUF76639S3ST-ND
HUF76639S3STFSTR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc)

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