HUF75639G3
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| Numero di parte | HUF75639G3 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 56A TO-247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | 1350 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.235 | $1.115 | $0.796 | $0.629 | $0.577 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF75639G3 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 56A TO-247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 59609 pcs | Scheda dati | HUF75639G3, P3, S3, S3S |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | HUF75639G3-ND HUF75639G3FS |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
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