HUF75631S3ST
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| Numero di parte | HUF75631S3ST |
|---|---|
| fabbricante | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | 1600 pcs | 2400 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.493 | $0.409 | $0.38 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF75631S3ST | fabbricante | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 90370 pcs | Scheda dati | HUF75631S3ST |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 1220pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione | D²PAK (TO-263AB) | Vgs (th) (max) a Id | 40 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | UltraFET™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33A (Tc) | Polarizzazione | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | HUF75631S3ST-ND HUF75631S3STFSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 9 Weeks | codice articolo del costruttore | HUF75631S3ST |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 79nC @ 20V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100V |
| rapporto di capacità | 120W (Tc) |
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