HUF75652G3
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| Numero di parte | HUF75652G3 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.863 | $2.556 | $1.892 | $1.534 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF75652G3 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 19528 pcs | Scheda dati | HUF75652G3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 515W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7585pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 475nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
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