FCPF190N65S3L1
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| Numero di parte | FCPF190N65S3L1 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.132 | $1.022 | $0.821 | $0.639 | $0.529 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCPF190N65S3L1 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 66436 pcs | Scheda dati | FCPF190N65S3L1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1.4mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F-3 | Serie | SuperFET® III |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 7A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1225pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
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