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FCPF165N65S3R0L

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Numero di parte FCPF165N65S3R0L
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione SUPERFET3 650V TO220F PKG
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 62101 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte FCPF165N65S3R0L fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione SUPERFET3 650V TO220F PKG Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 62101 pcs Scheda dati FCPF165N65S3R0L
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.9mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 Serie SuperFET® III
Rds On (max) a Id, Vgs 165 mOhm @ 9.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack Altri nomi FCPF165N65S3R0L-ND
FCPF165N65S3R0LOS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable Stato senza piombo Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 400V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 19A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)

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