FCPF250N65S3L1
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| Numero di parte | FCPF250N65S3L1 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.402 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCPF250N65S3L1 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 81816 pcs | Scheda dati | FCPF250N65S3L1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1.2mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F-3 | Serie | SuperFET® III |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 250 mOhm @ 6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 12A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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