FCH041N65F-F085
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| Numero di parte | FCH041N65F-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 76A TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.328 | $4.842 | $3.753 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCH041N65F-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 76A TO247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 9561 pcs | Scheda dati | FCH041N65F_F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 595W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | FCH041N65F_F085 FCH041N65F_F085-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13566pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 304nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
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