FCH040N65S3-F155
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| Numero di parte | FCH040N65S3-F155 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.588 | $4.13 | $3.121 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FCH040N65S3-F155 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 12534 pcs | Scheda dati | FCH040N65S3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 6.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 | Serie | SuperFET® III |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 32.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | FCH040N65S3_F155 FCH040N65S3_F155-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4740pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 65A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
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