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FCH023N65S3L4

FCH023N65S3L4
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Numero di parte FCH023N65S3L4
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4030 pcs
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Numero di parte FCH023N65S3L4 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4030 pcs Scheda dati FCH023N65S3L4
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 7.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4L Serie SuperFET® III
Rds On (max) a Id, Vgs 23 mOhm @ 37.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-4
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7160pF @ 400V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 222nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)

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