W947D6HBHX5E TR
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| Numero di parte | W947D6HBHX5E TR |
|---|---|
| fabbricante | Winbond Electronics Corporation |
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.436 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | W947D6HBHX5E TR | fabbricante | Winbond Electronics Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 24386 pcs | Scheda dati | W947D6HB/2HB |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.95 V | Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-VFBGA (8x9) | Serie | - |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| Altri nomi | W947D6HBHX5E CT W947D6HBHX5E CT-ND W947D6HBHX5ECT |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Tempo di accesso | 5ns |
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