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W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I
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Numero di parte W947D2HBJX5I
fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 34485 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		240 pcs
$1.081

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Numero di parte W947D2HBJX5I fabbricante Winbond Electronics Corporation
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 34485 pcs Scheda dati W947D6HB/2HB
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR
Contenitore dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 90-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13) Frequenza dell'orologio 200MHz
Tempo di accesso 5ns

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