SQ4917EY-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ4917EY-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.27 | $0.26 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ4917EY-T1_GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 81754 pcs | Scheda dati | SQ4917EY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 1910pF @ 30V |
| Tensione - Ripartizione | 8-SO | Vgs (th) (max) a Id | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8A (Tc) | Potenza - Max | 5W (Tc) |
| Polarizzazione | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SQ4917EY-T1_GE3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 65nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | Caratteristica FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO | Tensione drain-source (Vdss) | Standard |
| Descrizione | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60V |
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