SQ4937EY-T1_GE3
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| Numero di parte | SQ4937EY-T1_GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.192 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SQ4937EY-T1_GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 118107 pcs | Scheda dati | SQ4937EY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.9A, 10V | Potenza - Max | 3.3W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
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