SIHP30N60E-GE3
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| Numero di parte | SIHP30N60E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.178 | $1.956 | $1.85 | |||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $1.603 | $1.521 | $1.365 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHP30N60E-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 24449 pcs | Scheda dati | SiHP30N60E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2600pF @ 100V |
| Vgs (th) (max) a Id | 125 mOhm @ 15A, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | E | Stato RoHS | Digi-Reel® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 29A (Tc) | Polarizzazione | TO-220-3 |
| Altri nomi | SIHP30N60E-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 21 Weeks | codice articolo del costruttore | SIHP30N60E-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130nC @ 10V | Tipo IGBT | ±30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 600V |
| rapporto di capacità | 250W (Tc) |
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