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SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3
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Numero di parte SIHP24N65EF-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 30854 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SIHP24N65EF-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 30854 pcs Scheda dati Packaging InformationSiHP24N65EF
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 156 mOhm @ 12A, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2656pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)

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