SIHG33N65E-GE3
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| Numero di parte | SIHG33N65E-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.481 | $2.242 | $2.138 | $1.856 | $1.773 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIHG33N65E-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 19124 pcs | Scheda dati | SIHG33N65E |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 4040pF @ 100V |
| Tensione - Ripartizione | TO-247AC | Vgs (th) (max) a Id | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | Stato RoHS | Digi-Reel® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 32.4A (Tc) | Polarizzazione | TO-247-3 |
| Altri nomi | SIHG33N65E-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 20 Weeks | codice articolo del costruttore | SIHG33N65E-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 173nC @ 10V | Tipo IGBT | ±30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 650V |
| rapporto di capacità | 313W (Tc) |
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