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SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3
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Numero di parte SIHG44N65EF-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 15288 pcs
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Numero di parte SIHG44N65EF-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 15288 pcs Scheda dati SIHG44N65EF
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC Serie E
Rds On (max) a Id, Vgs 73 mOhm @ 22A, 10V Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5892pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 278nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)

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