SIA431DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA431DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.215 | $0.189 | $0.177 | $0.145 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.135 | $0.114 | $0.092 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIA431DJ-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 210543 pcs | Scheda dati | SIA431DJ |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 1700pF @ 10V |
| Tensione - Ripartizione | PowerPAK® SC-70-6 Single | Vgs (th) (max) a Id | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (Max) | 1.5V, 4.5V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® | Stato RoHS | Digi-Reel® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12A (Tc) | Polarizzazione | PowerPAK® SC-70-6 |
| Altri nomi | SIA431DJ-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks | codice articolo del costruttore | SIA431DJ-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60nC @ 8V | Tipo IGBT | ±8V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 850mV @ 250µA | Caratteristica FET | P-Channel |
| Descrizione espansione | P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| rapporto di capacità | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
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