SIA430DJT-T1-GE3
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| Numero di parte | SIA430DJT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.073 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | SIA430DJT-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 313652 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 7A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 19.2W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SC-70-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard | 27 Weeks | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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