SI4288DY-T1-GE3
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| Numero di parte | SI4288DY-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.21 | $0.20 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4288DY-T1-GE3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 119592 pcs | Scheda dati | SI4288DY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 580pF @ 20V |
| Tensione - Ripartizione | 8-SO | Vgs (th) (max) a Id | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Serie | TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9.2A | Potenza - Max | 3.1W |
| Polarizzazione | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | SI4288DY-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SI4288DY-T1-GE3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | Caratteristica FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO | Tensione drain-source (Vdss) | Logic Level Gate |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40V |
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