SI4310BDY-T1-E3
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| Numero di parte | SI4310BDY-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI4310BDY-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5977 pcs | Scheda dati | SI4310BDY |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 14-SOIC | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11 mOhm @ 10A, 10V | Potenza - Max | 1.14W, 1.47W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A, 9.8A |
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