SI3900DV-T1-E3
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| Numero di parte | SI3900DV-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.085 | $0.079 | $0.074 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI3900DV-T1-E3 | fabbricante | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 326816 pcs | Scheda dati | SI3900DV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | - |
| Tensione - Ripartizione | 6-TSOP | Vgs (th) (max) a Id | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Serie | TrenchFET® | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2A | Potenza - Max | 830mW |
| Polarizzazione | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Altri nomi | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SI3900DV-T1-E3 | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4nC @ 4.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5V @ 250µA | Caratteristica FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP | Tensione drain-source (Vdss) | Logic Level Gate |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
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