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SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3
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Numero di parte SI3948DV-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 101560 pcs
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Numero di parte SI3948DV-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 101560 pcs Scheda dati SI3948DV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 105 mOhm @ 2.5A, 10V Potenza - Max 1.15W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 21 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -
Numero di parte base SI3948

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