TK8Q65W,S1Q
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| Numero di parte | TK8Q65W,S1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.648 | $0.522 | $0.47 | $0.365 | $0.303 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK8Q65W,S1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 63690 pcs | Scheda dati | TK8Q65W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | TK8Q65W,S1Q(S TK8Q65WS1Q |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 7.8A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Ta) |
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