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TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ
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Numero di parte TK8Q60W,S1VQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 43194 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TK8Q60W,S1VQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 8A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 43194 pcs Scheda dati TK8Q60W
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.7V @ 400µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi TK8Q60W,S1VQ(S
TK8Q60WS1VQ		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)

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