TK50P03M1(T6RSS-Q)
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| Numero di parte | TK50P03M1(T6RSS-Q) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.408 | $0.357 | $0.275 | $0.204 | $0.163 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK50P03M1(T6RSS-Q) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 117656 pcs | Scheda dati | TK50P03M1 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DP | Serie | U-MOSVI-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25.3nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Ta) |
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