TK560A65Y,S4X
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| Numero di parte | TK560A65Y,S4X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.572 | $0.457 | $0.40 | $0.31 | $0.245 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK560A65Y,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 94657 pcs | Scheda dati | TK560A65Y |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 240µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS | Serie | DTMOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 30W |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK560A65Y,S4X(S TK560A65YS4X TK560A65YS4X(S |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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